压电陶瓷精选(九篇)

第1篇：压电陶瓷范文

关键词：无铅压电陶瓷；烧结温度；固相法；ZnO掺杂 1 概述

压电陶瓷已在能源开发、电子技术、传感技术、激光技术、光电子技术、红外技术、生物技术、环境科学等方面有广泛应用[1]。由于铅基压电陶瓷PZT具有优良的压电性能，从而得到广泛的应用，但是此类压电材料中含有60%以上的有毒物质铅，在压电陶瓷的生产、使用和废弃处理过程中挥发的铅都会对生态环境和人们的健康造成不可估量的伤害，因此人们迫切期盼无铅压电时代的到来[2]。

无铅压电陶瓷是指不含铅的压电陶瓷，其更深层含义是指既具有较好的使用性又有良好的环境协调性的压电陶瓷。目前，无铅压电陶瓷可以分为：BNT基无铅压电陶瓷、KNN系无铅压电陶瓷、BZT系无铅压电陶瓷，其中KNN压电陶瓷因为具有优良的压电性能和机械性能，被认为是最具有可能替代PZT的无铅压电材料。

然而阻碍KNN压电陶瓷发展的主要问题是传统的方法无法烧结出致密的陶瓷体， 大大影响了压电和机械性能，本文选择能够有效降低烧结温度的ZnO作为掺杂对象。本文采用传统陶瓷工艺制备无铅压电陶瓷，详细探讨了不同比例ZnO掺杂对KNN陶瓷烧结特性，包括对显微结构以及电学性能等的影响。

2 实验过程

采用传统的固相法[3，4]制备了（Na0.48K0.48Li0.04）（Nb0.86Ta0.1Sb0.04）O3-xZnO压电陶瓷（x = 1.00、1.50、2.00、3.00）。首先，按配比称量分析纯原料：K2CO3、Na2CO3、Li2O3、Nb2O5、Sb2O3、Ta2O5、ZnO、无水乙醇。将原料放入烘箱中在85℃干燥2～3h，充分去除水分后迅速放入干燥器皿中冷却至室温。将各原料按照化学式（Na0.48K0.48Li0.04）（Nb0.86Ta0.1Sb0.04）O3配比进行配料，然后装入研磨罐中，研磨介质为φ2mm的锆球进行研磨，以无水乙醇为媒介，用行星式球磨机球磨3～4h，取出烘干，在750℃保温2h完成预烧；再将粉料充分研磨，过筛，加入质量分数为10%左右的PVA进行造粒；在5MP压力下压制成直径15mm，厚l.5mm的圆片，并分别在1060℃、1080℃、1095℃、1100℃保温2h进行烧结，得到致密的陶瓷片。将陶瓷片的厚度控制在1.00mm左右，进行磨平。将磨好的陶瓷片均匀的涂上银浆，在750℃烧结陶瓷获得被上电极的陶瓷样品，并在90℃的硅油中极化，极化电压3～4kV/mm[5]，极化时间30min，放置1小时左右，进行测量其相关的性能。用JSM-5900LV型扫描电子显微镜（SEM[6]）对样品表面进行观察研究；采用准静态d33测量仪（ZJ-3AN型[7]）测量压电常数d33，用LCR电桥测试仪（YB2811型）测量损耗。

3 结论分析与讨论

3.1 显微结构分析

由SEM图可以看出压电陶瓷，在掺杂量相同（x=2.00mol%），烧结温度不同的情况下（1060℃、1080℃、1095℃、1100℃）同种陶瓷样品放大10000倍后的表面形貌图如图1所示。由图1（a）可以看出，温度在1060℃时，陶瓷表面有明显的孔洞，颗粒表面比较粗糙，致密度较差。从图1（a）、（b）、（c）、（d）可以看出，随着温度的升高致密度呈现先升高后降低的趋势，陶瓷表面的孔洞也呈现先减少后增加的趋势。一般而言，陶瓷晶粒大小会随着烧结温度的升高而增大，但是从陶瓷样品的表面SEM 图可以看出，陶瓷晶粒的大小并未发生太大的变化，这可能是由于掺杂的ZnO抑制了陶瓷晶粒的长大，在温度T=1100℃时，陶瓷表面出现大量的孔洞，这可能是晶体出现液化的原因。

3.2 压电性能分析

图2为室温下测量的无铅压电陶瓷压电常数随着ZnO掺杂比例的变化曲线图。由图2可以看出，随着掺杂量的增加，压电陶瓷的压电常数呈现先增加后降低的趋势。这可能是由于ZnO在一定程度上抑制了陶瓷晶粒的长大，从而使压电常数也随之增加；但当烧结温度超过一定范围时，ZnO的抑制作用降低，使晶粒继续增大并出现液化的现象，从而造成压电常数的降低。当T=1080℃，x=2.00mol%时，压电常数达到最（d33=77pC/N）。

3.3 介电性能分析

图3为室温下测量的无铅压电陶瓷介电常数和介电损耗随着掺杂量的变化曲线图。由图3（a）可以看出，随着掺杂量的增加，压电陶瓷的介电常数整体呈现先上升后下降的趋势。当T=1080℃，x=2.00mol%时，压电陶瓷的介电常数达到最大（εr=273.58）；这说明随着陶瓷体致密度的增加压电陶瓷的介电常数也会增加。反之介电常数也会降低。同时由图3（b）可以看出，压电陶瓷的介电损耗呈现先降低后增加的趋势。同时，当T =1080℃，x=2.00mol%时，介电损耗也达到最小（tanδ=2.98%）。压电陶瓷的介电损耗与陶瓷体的致密度有关，也与微观结构和显微形貌有关，晶粒排列紧密，晶界对电畴的夹持效应小，电畴转向过程中耗能少，介电损耗就会变小，反之介电损耗就会增加。

4 结论

采用传统固相法陶瓷工艺制备了（Na0.48K0.48Li0.04）（Nb0.86Ta0.1Sb0.04）O3无铅压电陶瓷；用SEM观测了样品的表面具体（10μm）形貌，并且测量了相关的压电和介电性能。研究结果表明：

①在ZnO的掺杂比例一定时，随着温度的升高，陶瓷的压电常数呈现先升高后下降的趋势，当T=1080℃，x=2.00mol%时，压电常数到达最大（d33=77pC/N）。这是由于ZnO在一定程度上抑制了晶粒的长大，从而使陶瓷的压电常数也随之增加；但当温度超过一定的范围时，ZnO的抑制作用降低，而使晶粒继续增大，从而造成压电常数的降低。

②通过改变ZnO的掺杂量，也使压电陶瓷的介电常数整体呈现先上升后下降的趋势，当T=1080℃，x=2.00时，压电陶瓷的介电常数达到最大（εr=273.58）。这是由于随着陶瓷体致密度的增加压电陶瓷的介电常数也会增加。反之介电常数也会降低。

③ZnO的添加一定程度上改善了陶瓷的介电损耗，介电损耗整体呈现先降低后升高的趋势，当T=1080℃，x=2.00时，介电损耗达到最小（tanδ=2.98%）。这是由于压电陶瓷的介电损耗与陶瓷体的致密度有关，同时也与微观结构和显微形貌有关，晶粒排列紧密，晶界对电畴的夹持效应小，电畴转向过程中耗能少，介电损耗就会变小，反之介电损耗就会增加。

参考文献：

[1]张东升.（K0.44Na0.52Li0.04）（Nb0.86Ta0.10Sb0.04）O3陶瓷的压电性能[J].硅酸盐学报，2014（4）：444-447.

[2]郭汝丽，方亮，周焕福等.低温烧结ZnO压敏陶瓷研究进展[J].电子元件与材料，2011，30（10）：80-82.

[3]S.Shah，M.S.Ramachandra Rao.Preparation and dielectric study of high-quality PLZTx=65=35（x=6，7，8）ferroelectric ceramics[J].J.Appl.Phys.2000，（71）：65-69.

[4]B.贾菲等著.压电陶瓷.林声和译.北京：科学出版社，1979：1.

[5]Wood，A.Polymoprhism in Potassium niobate，sodium niobate，and other ABO3.

[6]莫其逢，黄创高，田建民，高英俊.原子力显微镜与表面形貌观察[J]；广西物理，2007（02）.

[7]崔业让，刘心宇.Sm2O3掺杂（Ba0.7Ca0.3）TiO3-Ba（Zr0.2Ti0.8）O3无铅压电陶瓷的制备与性能[J].无机材料学报，2012（07）.

第2篇：压电陶瓷范文

关键词：压电陶瓷点火器；着火率；平行度

1 点火器工作原理概述

众所周知，压电陶瓷点火器其工作原理是当压电陶瓷体受到一定的外力作用下，陶瓷体两端面就会产生相应的正电荷和负电荷，电荷经过导线传到放电瓷针，然后通过正负极放电瓷针靠近，击穿两极间的空气而产生放电现象，在放电瓷针电极处产生电火花点燃点火装置喷出的燃气，然后点火装置射出的火焰再点燃主火燃烧器流出的燃气，从而完成点火过程。

2 点火器生产工艺

压电陶瓷的生产工艺与普通陶瓷的生产工艺相比，除了配方、工艺要求有一定的区别外，主要区别在于当其陶瓷体烧成后，它还需要经过一个重要的“极化”工序。陶瓷体只有经过极化以后，才具有机械能转变为电能的能量转换功能。整个压电陶瓷点火器的生产流程如图1所示。

压电陶瓷体经极化，检测电容C（28～34PF）、压电应变常数d33（360～450×10-12C/N）合格后，要通过装配才能成为一只压电陶瓷点火器， 装配时所需配件有：压电座、压电头、金属极片、塑料三通和高压导线。压电陶瓷点火器详见图2所示。

3 影响点火器着火率的因素

装配好的压电陶瓷点火器就是产品，压电陶瓷点火器的着火率，指的是在使用寿命周期内（3万次），打击100次，断火次数（未击穿空气放电现象）不大于2%，也即是说着火率大于或等于98%为合格。

影响着火率的因素是多方面的，压电陶瓷体的压电效应、放电强度是关键，但压电陶瓷体的各项性能参数通过检测合格后，一般是可以保证放电强度的，因此，压电陶瓷点火器的装配质量便成为影响着火率的主要因素了。

4 压电座平行度对点火器质量的影响

在生产过程中，装配好的压电陶瓷点火器，需要经过简单的打击检验来分选出不合格品，一般在打击检验时对每只压电陶瓷点火器进行打击20次，若有3次断火即判为不合格，而出现2次以下断火的，就要重打20次，无出现断火的为合格，再出现断火的则判为不合格。但是，在打击检验时会经常出现一种情况，就是同一只压电陶瓷点火器在打击检验中，出现断火现象，而在示波器做落球检验时其输出电压是合格的（输出电压大于1.5万伏为合格），于是，我们从第一次打击检验有2次以下断火（经过重复打击）的不合格品（批号为DHQ-000402）中，抽取10只样品作落球检验，发现其输出的落球电压的合格率有90%。具体检验结果如表1所示。

为此我们重复试验，再从另一批次（批号为DHQ-000618）的不合格品中（经过重复打击），再抽取10只样品在示波器做落球检验，其输出的落球电压的合格率为100%，具体检验结果如表2所示，同样说明是装配的因素导致产品不合格。落球仪装置如图3所示。

为了查明装配质量原因，我们从该两批样品中，取落球电压高的前10只压电陶瓷点火器作本次对比试验，首先将10只压电陶瓷点火器的压电座拆下，并量度压电座的平行度，检测结果如表3所示。

我们将拆下压电座的10只压电陶瓷点火器，分别先装上平行度差值小于0.06 mm的压电座，然后进行打击检验，每只打击20次，打击结果有5只出现断火现象，即合格率为50%，结果如表4所示。

于是我们又再拆下平行度差值小于0.06 mm的压电座，装上平行度差值小于0.04 mm的压电座，再进行打击20次检验，结果还有1只不合格，合格率为90%，结果如表5所示。

由于还有不合格品，为此我们又将平行度差值降低到小于0.03 mm，再将平行度差值小于0.03 mm的压电座装到试样中，进行打击20次检验，结果全部无出现断火现象，合格率为100%，结果如表6所示。

由此可见，压电座的平行度对压电陶瓷点火器质量有着相当重要的影响。

5 压电座平行度的影响分析

根据我们发现的问题，进行细致分析，发现当压电陶瓷点火器放到打击机做打击检验时，由于压电陶瓷点火器受到打击机周边紧迫的限制，使得压电陶瓷点火器不能向各方向作轻微摆动（见图5），无法使平行度差值大的压电座与打击机压板的接触有足够大的面积，甚至造成点接触，所以当击锤撞击压电陶瓷点火器时，平行度差值大的压电陶瓷点火器内的陶瓷体受力面积减少，使其输出电压相应降低，造成击穿空气的能力降低，而出现断火现象。打击机的装配方法是模拟气炉阀体的装配方式，在实际使用时，压电陶瓷点火器也是受阀体周边紧迫的。

压电陶瓷点火器的压电座与打击机压板点接触情况如图6所示。

而当压电陶瓷点火器放在示波器做落球检验时，压电陶瓷点火器没有受到周边物体的限制（见图2），因此，容易使压电陶瓷点火器的压电座与支架的接触面有效增大，从而增大压电陶瓷点火器内陶瓷体的受力面积，因此，当落球检验时，压电陶瓷点火器内的陶瓷体所受到冲击力比较均匀，提高其电压输出，增强击穿空气的能力，而不会出现断火。

6 小结

综观上述的试验及分析，我们可以得出提高压电陶瓷点火器着火率的方法，除了要提高压电陶瓷体本身参数的合格率外，对装配配件的质量也要严格把关，特别是压电座平行度的尺寸，因为它对压电陶瓷点火器的产品质量有着举足轻重的作用，所以更要严格控制它的平行度差值，最好将平行度差值控制在

参考文献

[1] 李沃，黎锦华.开发高质量的压电陶瓷点火器[J].陶瓷，1990（5）：

50～53.

第3篇：压电陶瓷范文

【关键词】压电陶瓷片；速度测量；单片机

位移或者速度的检测常常采用传感器技术，把不便于定量检测和处理的位移、速度等物理量转换为易于定量检测、便于信息传输与处理的电学量[1]。本文是应用压电陶瓷片设计了一个速度测量装置，并通过单片机编写程序，实现速度测量。

1.压电效应及压电陶瓷片

具有压电效应电介质在沿一定方向上受到外力的作用变形时，内部会产生极化现象，同时在它的两个相对表面上产生极性相反的电荷；当外力去掉后，电介质表面又恢复到不带电的状态，这种现象称为正压电效应。当作用力方向改变时，产生的极化电荷的极性也随之改变。相反，当在电介质极化方向上施加电场时，这些电介质会产生机械形变；当去掉外加电场后，电介质的变形随之消失，这种现象称为逆压电效应[2]。

在自然界中大多数晶体具有压电效应，其中压电效应明显且稳定的压电材料有石英晶体、钛酸钡和锆钛酸钡等。压电陶瓷是人工制造的多晶体压电材料，其压电系数比石英晶体的大得多，所以采用压电陶瓷制作的压电式传感器的灵敏度较高[3]。

利用压电材料受力后产生的压电效应可以制成压电传感器。压电传感器一般由将外界力传递到压电陶瓷片的力学系统、压电陶瓷片和将电荷传递到仪表的测量电路三部分构成[4]。从信号变换角度来看，压电陶瓷片相当于一个电荷发生器，也是传感器的关键部件。

2.速度测量的装置构成

本装置共有四部分构成，如图1所示。利用压电陶瓷片采集电信号，采集到信号之后信号指示模块的灯光会闪烁提示，传递给单片机Arduino模块完成信号处理，再由STC89C52模块进行数据处理，最后通过LCD显示屏将结果输出。

图1 结构图与实物图

3.测速原理以及测速程序

在地面缓冲装置中安装压电陶瓷片，运动物体经过缓冲装置时，物体作用于地面的压力传到压电陶瓷片的表面。压电片因受力而产生相应强度的电流。若在距离S内安放两个地面缓冲装置，通过计时装置测出产生两次电流的间隔时间t。由距离S和测定的时间t，则速度v=S/t由STC89C52处理模块可以计算出。

压电陶瓷片产生的电信号通过单片机Arduino模块编写程序来实现信号采集，然后经由STC89C52模块处理计算，最后的具体数据通过LED显示屏显示出来。

3.1 基于Arduino的信号采集处理程序

void setup（）

{

Serial.begin（9600）； //

pinMode（3，OUTPUT）；

pinMode（4，OUTPUT）；

pinMode（5，OUTPUT）；

pinMode（6，OUTPUT）；

}

void loop（）

{

int val，val1；

val=analogRead（0）；//Connect the sensor to analog pin 0

delay（10）；

val1=analogRead（5）；//Connect the sensor to analog pin 1

Serial.println（val，DEC）；//

delay（100）；

if（val>1000）

{

3.2 基于STC89C52的数据处理程序

if（signal_1==0） //收到信号开始计时

{

while（signal_1==0）；

time_s=0；

a=0；

TR0=1；

ET0=1；

}

if（signal_2==0）//收到停止信号

{

while（signal_2==0）；

TR0=0；

ET0=0；

write_com（0x80+0x40）；

for（num=0；num

{

write_data（table1[num]）；

delay（5）；

}

3.3 部分最终STC89C52处理程序（速度取两位小数）

void display3（）

{

if（signal_1==0）

{

delay1ms（20）；

if（signal_1==0）

{

while（signal_1==0）；//按键松手检测程序，等待按键释放

haomiao=0；sec1=0；sec2=0；sec3=0； delay1ms（1）；

TR0=1；

}

}

if（signal_2==0）

{

delay1ms（20）；

if（signal_2==0）

{

while（signal_2==0）；

TR0=0；

}

}

}

4.实验以及数据测量

在程序中设置地面信号采集间距为1m，多次读取启动信号和结束信号触发后显示的时间和速度，计算其通过距离是否为1m，从反面证明装置的可行性。数据如下表。

标准S=1（单位：m） 装置显示时间t

（单位：s） 装置显示速度v

（单位：km/h）

第1组 1.0000000 0.9 4.00

第2组 0.9991667 1.1 3.27

第3组 0.9966667 1.3 2.76

第4组 0.9950000 1.8 1.99

第5组 0.9916667 3.4 1.05

第6组 0.9966667 3.9 0.92

5.结语

压电陶瓷片易获得，成本廉，在现实生活中应用广泛。本测速装置可以安装在公路上用来检测车辆的速度，可以安装在跑道上获取田径运动员的运动过程信息，以便于制定更加合理的训练计划；还可以与运动鞋结合，用于记步。本实验装置虽然具有可行性，但是要提高实验结果的精确度，实验装置的器件还需进一步的改进。

参考文献：

[1]昌学年，姚毅等.位移传感器的发展及研究[J]，计量与测试技术， 2009（ 9）：42-44.

[2]董佳丽，相文峰等.薄膜压电系数测量方法的研究进展[J]，微纳电子技术，2014（1）：59-64.

[3]马惠铖.压电效应以及压电材料的研究[J]，科技资讯，2010 .（30）：119.

[4]王海鸿，牛晶等.利用压电传感器设计的高跟鞋压力检测装置[J]，科技向导，2011（20）：22.

资助基金项目：

上海工程技术大学大学生创新项目（cx1421005）

第4篇：压电陶瓷范文

关键词：物联网 感知层 压电陶瓷 传感器 微米级

中图分类号：G718.5 文献标识码：C DOI：10.3969/j.issn.1672-8181.2013.22.111

1 物联网感知层技术的研究现状

1.1 物联网概述

物联网（Internet of Things）是指，把任何物品通过信息传感设备（如RFID）与互联网连接起来，进行信息交换和通信，可实现智能化识别、定位、跟踪、监控和管理。

物联网本身的结构复杂，主要包括三大部分：首先是感知层，承担信息的采集，可以应用的技术包括智能卡、RFID电子标签、识别码、传感器等；其次是网络层，承担信息的传输，借用现有的无线网、移动网、固联网、互联网、广电网等即可实现；第三是应用层，实现物与物之间，人与物之间的识别与感知，发挥智能作用。

1.2 感知层关键技术

物联网的核心是感知层中的技术，从现在阶段来看，物联网发展的瓶颈就在感知层。国际电信联盟（ITU）将射频技术（RFID）、传感器技术、纳米技术、智能嵌入技术列为物联网关键技术，本论文将就“传感器技术”这一常用的关键技术展开探讨。

传感技术同计算机技术与通信技术一起被称为信息技术的三大支柱。传感技术主要研究关于从自然信源获取信息，并对之进行处理（变换）和识别的一门多学科交叉的现代科学与工程技术。传感技术的核心即传感器，它是负责实现物联网中物与人信息交互的必要组成部分。

2 压电陶瓷传感器

2.1 国内外相关技术的研究、开发现状

压电陶瓷是一种重要的功能材料，具有压电、介电和光电等特性，被广泛运用于电子、航空、军事等领域。近年来随着物联网的发展，该类产品的研发和运用出现了爆发式的增长。当前，各国都在积极研究和开发新的压电功能陶瓷，随着对材料的组成、制备工艺及结构的不断深入研究，更加新颖的压电器件将不断涌现出来。

目前国际上该项目几乎由BOSCH，Delphi几个巨头垄断，我国在该领域尚处于起步阶段，高端需求严重依赖进口，国产化缺口巨大，传感器进口占比80%，传感器芯片进口占比达90%。传感器技术是物联网信息采集基础，处于产业链上游，在物联网发展之初受益较深；同时传感器又处在物联网金字塔的塔座，将是整个物联网产业中需求量最大和最基础 的环节。当前，汽车、物流、煤矿安监、安防、RFID标签卡领域的传感器市场增长较快：仅汽车传感器市场潜在规模达57亿只，是目前的需求量14倍以上。我国亟待在该领域加强技术创新，掌握核心技术。

2.2 技术原理

压电陶瓷的压电原理：在对压电陶瓷元件外施压力（拉力）时，压电陶瓷收缩（伸长）变形，瓷体两端产生电荷，由“压”产生“电”的效应为正压电效应（图1）；在对压电陶瓷元件施加与极化方向相同（相反）的电场时，极化强度增大（减小），压电陶瓷沿极化方向伸长（收缩），由“电”产生“伸缩”的效应为逆压电效应（图2）。

利用压电陶瓷的逆压电效应，在压电陶瓷元件两端间断的施加脉冲，激励压电陶瓷元件不断作伸长-收缩的机械振动，扰动传播媒介的质点，使其在各自的平衡位置附近作往返运动，将扰动以波动的形式传播到更远的媒质中，形成声波。当振动频率高于20千赫兹（kHz）时为超声波。

超声波遇到障碍物反射，声压作用于压电陶瓷元件，由于压电陶瓷元件的压电效应，其两端会产生电荷，计算脉冲发射与声波接收的时间差Δt，得到声波发射点与障碍物的距离S（图3）。

2.3 主要技术性能指标

该项目产品的性能指标如下：

频率：200±10KHz

灵敏度：≥1.8V（200Vp-p，200KHz）

传感器电容：900pF±25% （频率1KHz，环境温度25℃±5℃）

指向性： 7o±2o

防护等级：IP65

工作温度范围：-20℃～85℃

3 微米级压电陶瓷传感器的开发及相关研究

3.1 微米级压电陶瓷传感器的开发

在为期半年多的校企合作过程中，与常州波速传感器有限公司技术人员通过对压电陶瓷频率的确定，从而确定测试精度，根据S=V/F 对产品的测试精度进行设计；根据陶瓷片设计振动模式Np=fsD，设计出压电陶瓷的外形尺寸，通过对机械品质因数，机械能量转换效率等电性能参数设计（如下图4），获得高的可靠性和能量储备。

通过对压电陶瓷流延技术工艺设计，确定每一层陶瓷的厚度，通过层压与等静压技术，设计陶瓷片耐高温、高压特性。

3.2 压电陶瓷匹配层技术研究

为了使压电芯片所产生的超声波机械振动有效传输到空气中，首先考虑声阻抗匹配，材料的声阻抗Z由声速与密度定义：Z=pxc.

压电材料与空气的声阻抗相差甚远，若压电陶瓷元件所产生的振动超声波直接向空气中辐射，由于两种媒介的阻抗失配，阻抗的差异会降低界面透射系数，严重影响传感器的发射强度与接收灵敏度，因此需要在压电陶瓷元件与空气之间增加一种材料，使其声阻抗实现过渡或者匹配。此材料声阻抗需满足： [Z0ZL][Z=]，从而得出材料阻抗指标，根据阻抗指标对材料进行设计。

3.3 产品综合性能研究

进一步完善产业化过程中出现的设备问题和制备技术问题，主要有环境温度对陶瓷浆料的流变性能影响；有机溶剂的挥发；工作电压变化导致基板走带速度变化对产品流延厚度的影响，工业生产中优化排胶时间和温度，缩短工艺流程时间，提高工作效率，研究产品性能厚度控制的一致性，成品率等问题，在超声波低密度，多孔高透声匹配层方面，通过控制复合材料的颗粒度、有机粘合剂、分散剂的比例，以及固化温度和固化时间，重点解决陶瓷的收缩率与超声波匹配复合材料的内部孔状排列情况，研究获得高灵敏度低衰减信号的高频率超声波传感器。

3.4 具体关键指标如下

频率：200±10KHz

灵敏度：≥1.8V（200Vp-p，200KHz）

传感器电容：900pF±25% （频率1KHz，环境温度25℃±5℃）

指向性： 7o±2o

防护等级：IP65

工作温度范围：-20℃～85℃

目前材料压电常数d33已达到600以上，在同行业中居于领先地位，而目前处于研发阶段，对于材料组装成传感器装配工艺以及材料应用的拓展尚需进一步研究解决。

4 结论

本项目采用微米级的技术，其精度高出国内行业一个数量级，同时改变了国内传统的轧膜工艺技术所不能达到的产品小型化微型化方向发展的局面，在国内处于领先地位，并且达到国外BOSCH，VALEO，APPLE等顶级电子产品的标准要求；在选材方面，我们采用长期在高温高压工作的压电材料配方技术，使得具有较高的压电性能；在工艺控制方面，公司采用国际最先进的流延技术，在使陶瓷片达到微米级的同时，为确保在生产过程中压电陶瓷一致性，陶瓷成型中采用六个方向等静压工艺，保证压电陶瓷片内部晶元的排列更为紧密，提高陶瓷片的压电性与产品的一致性；采用电脑编程自动控制对压电陶瓷片进行烧结，保证压电材料进行良好的高温化学反应与晶相结构组合，使产品灵敏度高出常规产品的1倍，同时获得较好的稳定性。

当前，传感器技术是物联网信息采集基础，处于产业链上游，在物联网发展之初受益较深；同时传感器又处在物联网金字塔的塔座，将是整个物联网产业中需求量最大和最基础的环节。当前，汽车、物流、煤矿安监、安防、RFID标签卡领域的传感器市场增长较快：传感器市场潜在规模达57亿只，是目前的14倍以上，而本项目符合中《华人民共和国国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要》构建下一代信息基础设施，《物联网“十二五”发展规划》提升感知技术水平。

参考文献：

[1]李红元，孙清池.Nb掺杂PLZT压电陶瓷性能研究[J].稀有金属材料与工程，2008，（1）.

[2]刘培祥，孙清池，何杰，李红元.烧结温度对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响[J].稀有金属材料与工程，2008，（1）.

第5篇：压电陶瓷范文

【关键词】压电陶瓷;掺杂;锆钛酸钡

Piezoelectric Properties and Modification of 0.9 K0.5Na0.5NbO3-0.1Ba (Zr1-xTix)O3Ceramics

CHENYun

(Department of Chemistry and Material EngineeringHefei UniversityHefei230022China)

【Abstract】Considering the practicality , A new-type a 0.9 K05Na0.5NbO3-0.1 Ba(Zr1-xTix)O3 piezoelectric ceramic were prepared by traditional ceramic sintering technique, and their piezoelectric properties was also studied. These results of research indicate that this new type ceramics sintered at 1165℃ for 4 hours, and when x is 0.50, every properties show the best, d33 is 128 pC/N, kp is 33%, Qm is 117,tanδ is 2.1%, and εr is 1283.

【Key words】Piezoelectric ceramics;Doped;Barium zirconate titanate

1946年，在美国麻省理工学院绝缘研究室发现，在钛酸钡铁电陶瓷上施加直流高压电场，使其自发极化沿电场方向择优取向国家,除去电场后仍能保持一定的剩余极化,它便具有压电效应，从此诞生了压电陶瓷。现在提倡和支持研发和使用高新材料，在近年来，压电陶瓷和压电器件的原材料和制造工艺有了很大的发展。压电陶瓷目前已在高科技信息、航空航天和生物化学等诸多高新科技领域具有不可代替的地位，这是因为压电陶瓷具有稳定的化学特性、优异的物理性能、易于制备成各种形状和具有任意极化方向的特性。 [1-3]

然而，当前使用的压电陶瓷的生产原料都含有大量的重金属铅，陶瓷中的PbO(或Pb3O4)的含量约占原材料总重量的70%，不仅难以制备紧密的压电陶瓷，还会对环境造成污染，因为目前还没有大规模回收留在地面和游离于空气中的铅。随着环保已经成为世界发展的主要前提，无铅压电陶瓷的研发已经迎来最有力的契机，现在已经出现了许多具有实用价值的陶瓷体系，钛酸盐系压电陶瓷成为此领域许多科学家与学者实验课题。虽然无铅压电陶瓷可以缓解环境污染，但是目前的无铅压电陶瓷的性能与PZT基压电陶瓷相比还有一定的距离，但是无铅压电陶瓷已经获得众多科学家和学者的青睐，相信不久的将来无铅压电陶瓷取代PZT基压电陶瓷[1-3]。

本实验考虑到实用性，因此采用传统陶瓷制备技术和电子陶瓷工业用原料，制备了0.9 K0.5Na0.5NbO3-0.1Ba (Zr1-xTix)O3 压电陶瓷，并研究了该体系压电陶瓷的介电压电性能。

1．实验

本着实用化的目的，采用传统的陶瓷制备工艺技术，以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、BaCO3、ZrO2、TiO2为起始原料，根据0.9K0.5Na0.5NbO3-0.1Ba(Zr1-xTix)O3（简记为KNN-BZT）,陶瓷体系的化学计量进行配料，其中x分别为0.20，0.50，0.80，0.95，并依次简记为BZT20, BZT50, BZT80, BZT95。首先将原料混合加入无水乙醇混合、振动球磨48小时，充分研磨后进行干燥，然后在800～860°C下，经2小时的预烧生成陶瓷粉体；生成后的陶瓷粉末球磨12小时并60目分样筛后，加入粉末质量的10%～15%粘结剂再次球磨12小时，得到流动性好的陶瓷颗粒；在80MPa压力下干压成型，获得厚度为1.2～1.7 mm、直径为 12.0 mm的生坯片；然后在1100°C下、烧结4小时得到致密的陶瓷片并清洗其表面杂质；将清洗干净的陶瓷片用真空溅射仪镀上银电极，再在硅油温度为90°C～100°C、极化直流电压为4.0 Kv/mm～4.5 Kv/mm的条件下极化30～40分钟，放置24小时后，测试各项性能。用LCR数字电桥（TH2816A）在常温下测得1kHz时陶瓷样品的介电常数εr和介电损耗tanδ；用ZJ-3A准静态测量仪测量d33；采用HP4294A阻抗分析仪测量陶瓷样品的谐振频率、反谐振频率、谐振阻抗和电容，根据以上数据计算出陶瓷的机械品质因素Qm和机电耦合系数kp。

2.结果与讨论

2.1 KNN-BZT陶瓷的压电性能

图2给出了KNN-BZT系压电陶瓷的压电性能随Ti元素摩尔分数的变化规律。图2(a)、(b)和(c)分别显示随着Ti4+ 含量的不断升高，其压电性能也随之增强，在Ti4+含量为0.50（摩尔分数）时，压电性能达到最强，根据图表所示：此时压电常数d33为128pC/N，机电耦合系数kp为33%，机械品质因数Qm为117；而当Ti元素含量继续升高时，压电性能迅速减弱。

(a) (b)

(c)

图2 组成x与陶瓷样品的d33、kp和Qm的关系

2.2 KNN-BZT陶瓷的介电性能

图3给出了KNN-BZT系压电陶瓷1KHz频率下的介电性能随Ti元素的摩尔分数x的变化规律。从图3可以看出，介电常数和介质损耗先随x的增加而增大并在x为0.50处出现达到最高峰，二者达到最大，此时经测量与计算得介质损耗tanδ为2.1%，介电常数εr为1283。然后随x的增加，介电常数和介质损耗逐渐下降，这主要由于电导和驰豫过程引起的损耗最大，而且电畴的极化反转变得更为容易，于是介电常数也达到最大。

（a） （b）

图3 组成x对陶瓷样品的tanδ和εr的关系

3.结论

x为0.50时性能达到最佳，其压电常数d33为128 pC/N，机电耦合系数kp为33%，机械品质因素Qm为117，tanδ为2.1%，介电常数εr为1283。■

【参考文献】

［1］励抗全.材料导论――高分子材料与工程专业系列教材.北京:中国轻工业出版社,2000.

［2］曾汉民.高技术新材料要览.北京:中国科学技术出版社，1993.

［3］理查德J.布鲁克.陶瓷工艺(第一部分).见:卡恩RW,哈森P,克雷默EJ主编.材料科学与技术丛书.第17A卷.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室译.北京:科学出版社,1999.

［4］Tomaszewski H,Boniecki M,Weglarz H.Effect of grain size and residual stresses on R-curve behavior of alumina based composites. J.Eurp.Ceram.Soc.2001,21:1021-1026.

［5］Casellas D,Cumbrera F L,Sanchez F,Forsling W.On the transformation toughening of Y-ZrO2 ceramics with mixed Y-TZP/PSZ mierostructures.J.Euro.Ceram.Soc,2001,21:765-777.

［6］Heuer A H.Transformation toughening in ZrO2containing ceramics,J.Am.Ceram.Soc,1987,70(10):689-698.

［7］Du H L, Tang F S, Luo F, et al. Effect of Poling Condition on Piezoelectric Properties of (Na0.5K0.5)NbO3-LiNbO3 Lead-Free Piezoelectric Ceramics[J].Materials Science and Engineering,2007,137(2):175-179.

［8］Leon A B,Morikawa Y,Kawahara M,Mayo M J.Fracture toughness of nanocrystalline tetragonal zirconia with low yttria content.Acta.Materialia,2002,50:4555-4562.

第6篇：压电陶瓷范文

关键词 陶瓷，Ba0.6Sr0.4TiO3，掺杂，介电性能

1前 言

钛酸锶钡(BST)系列电子陶瓷是最近几十年发展起来的新型功能陶瓷。由于该材料具有铁电、压电、高介电常数和正温度系数效应等优异的电学性能，成为了制造高介电陶瓷的主要原材料。而通过添加MgO、ZnO、Bi2O3等掺杂物，可以改善BST陶瓷的性能。据报道[1]，掺杂一定量的Bi2O3可以使钛酸锶钡烧结温度降低100～200℃。本实验根据有关文献[2～4]的研究成果，通过掺杂Bi2O3，系统研究了Bi2O3的加入量对BST介质陶瓷的影响。

2 实 验

2.1 配方组成

采用传统的陶瓷粉体制备工艺制得了含掺杂的BST陶瓷，不同配方Bi4Ti3O12的添加量如表1所示。

2.2 性能测试

采用YY2814数字电桥测量仪测量出样品在室温、1kHz频率下的介质损耗(tanδ)和电容值。并按照以下公式计算介电常数ε。

式中：

C――电容量，pF

d――样品厚度，cm

D―― 样品直径，cm

采用CJ2672型耐压测试仪测量陶瓷样品的直流击穿电压。由于本实验的样品均为厚度均匀的圆片，因此，可直接按下式计算陶瓷片的直流击穿强度。

E=V/h

式中：

V――陶瓷片的击穿电压

H――陶瓷片的厚度

3 结果与讨论

3.1 Bi4Ti3O12掺杂对陶瓷介电性能的影响

采用分析纯的Bi2O3和TiO2以Bi4Ti3O12的配比混合研磨混匀，混合料放在刚玉坩埚内在1050℃下保温120min，固相反应合成铋层化合物。合成的钛酸铋XRD谱图如图1所示，从图中可以看出，所制得的粉体为纯钛酸铋，无杂相生成。

从图2、图3可以看出：随着Bi4Ti3O12含量的增加，陶瓷的介电常数一直下降，同时介电损耗也随之减小。当w(Bi4Ti3O12)=8%时，陶瓷的低温介电损耗较之w(Bi4Ti3O12)=6%的陶瓷样品有了大约50% 的降低。同时四个样品的耐压强度分别为5.5kV/mm、5.3kV/mm、4.8kV/mm和4.2kV/mm，样品的耐压强度随着Bi4Ti3O12含量的增加而逐渐减弱。这是因为Bi4Ti3O12作为一种烧结助剂掺入到BST陶瓷中，通过形成液相烧结来降低烧结温度。由于液相烧结中颗粒或者晶粒的重排、强化接触可提高晶界迁移率，使气孔充分排出，促进晶粒发育，提高瓷体致密度，达到降低烧结温度的目的。但是这种液相生成物一直保留在陶瓷微观结构中，且其结构松散，本征极化性不高，它的存在反而会导致材料介电性能的下降。

3.2 Bi4Ti3O12掺杂对陶瓷结构和形貌的影响

从图4可以发现，在BST陶瓷中存在Bi4Ti3O12杂相，杂相的衍射峰强度随Bi4Ti3O12含量的增加而增大，同时降低主晶相的衍射强度，这表明Bi4Ti3O12掺杂有细化陶瓷晶粒的作用。

Bi4Ti3O12掺杂的陶瓷SEM照片如图5所示。从图中可以看出，Bi4Ti3O12除了有强烈的细晶作用外，也会造成气孔率的上升，气孔率的上升会导致陶瓷耐压强度的下降。由于掺杂的Bi4Ti3O12粉体未经过与BST粉体预先合成，以游离态存在，加上Bi4Ti3O12的挥发点很低，因此Bi4Ti3O12在高温下的挥发到起了反致密化作用。

4结 论

（1） 随着Bi4Ti3O12含量的增加，介电常数和介电损耗随之下降。同一配方随着烧结温度的不断提高，介电常数有所升高，介电损耗有所下降；

（2） 随着Bi4Ti3O12含量的增加，陶瓷的晶粒变小，气孔率有所上升。样品的耐压强度随着Bi4Ti3O12含量的增加而逐渐减弱。

参考文献

1 李 卫,周科朝,杨华.氧化铋的应用研究进展[J].材料科学与工程学报,2004,1(22):154～156

2 L.Zhou,P.M.Vilrinho,J.I.Baptista.Dielectric properties of bismuth doped Ba1-xSrxTiO3 ceramics[J].

J Eur Ceram Soc,2001,21(6):532～534 3 K.T.Kim,C.I.Kim.Struture and dielectric properties of Bi-doped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin film fabricated by sol-gel method[J].Micro engin,2003,66(9):835～841

第7篇：压电陶瓷范文

关键词 CaZr4P6O24陶瓷，烧结工艺，抗弯强度，介电性能

1前 言

CaZr4(PO4)6（简称CZP）磷酸盐陶瓷材料具有很好的高温稳定性和良好的抗热冲击能力，属于NZP族材料。该族材料具有低膨胀性和高离子传导速度及丰富的离子取代性[1～3]，在航空器表面涂层、离子导电及核废料固结等领域被广泛地应用[4～6]。

CZP陶瓷材料的晶体结构是由[PO4]四面体与[ZrO6]八面体沿着c轴方向共顶点的三维网状结构，Ca2+离子位于两个[ZrO6]八面体形成的空洞中，属于六方晶系（a=8.785 ， c=22.682 ），空间群为R3C。该材料最大的特点就是具有膨胀异性。Limaye等人[7]研究了CZP的热膨胀性质，发现其在a轴上的热膨胀系数为正值，而在c轴上的热膨胀系数为负值，具有很低的热膨胀性能，体膨胀系数为-1.6×10-6/℃。

CZP磷酸盐陶瓷材料的抗弯强度和介电性能与其烧结方法有关，本文主要研究升温速度和保温时间对CZP磷酸盐陶瓷性能的影响。

2 试 验

本研究以直接共沉淀法制备的CaZr4P6O24陶瓷粉体[8]作为研究对象，CZP陶瓷粉体添加5wt%PVA水溶液造粒，添加3wt%的ZnO作助烧剂及3wt%的SiO2作为晶粒抑制剂，第一组升温速度影响实验在100MPa的压力下干压成坯体，坯体在1150℃下无压烧结，升温速率分别为3、5和8℃/min，保温时间为2h；第二组保温时间影响实验在100MPa的压力下干压成形，坯体在1150℃下无压烧结，升温速率为5℃/min，保温时间分别为1、2和3h。

用扫描电镜（日立S-2500）对试样断面进行显微结构观察。力学测试时，将试样按照标准切成5mm×2.5mm×25mm的矩形断面试条，模具跨度为20mm，在Instron 5569型电子万能材料试验机上测三点抗弯强度，压头位移速度为0.5 mm/min。用美国pore-master-60全自动压汞仪测量烧结体的气孔率情况。用中国航空工业第一集团公司济南特种结构研究所的动态介电谱仪测试CZP陶瓷材料的介电性能（频率为10GHz，试样尺寸为22.78 mm ×10.18mm×5.74mm）。

3试验结果及讨论

3.1 升温速度的影响

3.1.1 显微结构分析

（a）升温速度3℃/min，（b）升温速度5℃/min，（c）升温速度8℃/min。

图1为不同升温速度下CZP陶瓷的SEM图像。从图1（a）可以看出，升温速度3℃/min时陶瓷材料排列致密，但颗粒不均匀，有一些大颗粒存在，影响了陶瓷的力学性能；从图1（b）可以看出，升温速度5℃/min时陶瓷材料晶粒排列紧密，气孔少，致密度很高；从图1（c）可以看出，升温速度8℃/min时，陶瓷材料有一定的气孔存在，陶瓷体不致密，影响了力学性能。所以，从陶瓷材料的微观形貌上分析，升温速度5℃/min时，陶瓷材料的颗粒排列致密并且颗粒均匀；升温速度过慢，会造成晶粒异常生长；升温速度过快，会有一定量气孔存在。

3.1.2 抗弯强度分析

表1为不同升温速度下CZP陶瓷性能的结果，CaZr4P6O24陶瓷升温速率分别为3、5和8℃/min时的三点抗弯强度值分别为64.34、74.96和66.84MPa。可见，升温速度适中时（升温速率为5℃/min），陶瓷的气孔最小，陶瓷的力学性能最好；而升温速度太慢时（升温速率为3℃/min），陶瓷烧结时间过长，造成晶粒异常长大，导致力学性能下降；升温速度太快时（升温速率为8℃/min），气孔不容易排除，还可能造成坯体开裂，导致陶瓷力学性能的下降。

3.1.3 介电性能分析

本研究中，CZP陶瓷介电性能只与陶瓷体内的气孔率有关，因为本研究的主晶相CZP相同，添加的烧结助剂ZnO都是3wt%，产生的玻璃相含量都相同，气孔率是介电性能的唯一影响因素，气孔率越高的陶瓷体，其介电常数越小。由表1可以看出，升温速率分别为3、5和8℃/min时，气孔率值为3.8%、3.4%、4.6%，对应的介电常数为3.52、3.65和3.38，可见升温速率在5℃/min时，气孔率最小，对应的介电常数也最大。

而介质损耗值和气孔的关系正好与介电常数相反，气孔率越高，陶瓷体的介质损耗值越大，由表1可以看出，烧结升温速率在5℃/min时，陶瓷的气孔率为3.4%，气孔率最小，对应的介质损耗值也最小，为0.0058。

3.2 保温时间的影响

3.2.1 显微结构分析

图2为不同保温时间下CZP陶瓷的SEM图像。从图2（a）可以看出，保温1h时陶瓷材料有一定的气孔存在，陶瓷体不致密，影响到抗弯强度；从图2（b）可以看出，保温2h时陶瓷材料晶粒排列紧密，气孔少，致密度很高；从图2（c）可以看出，保温3h时陶瓷材料排列也很致密，但颗粒不够均匀，有一些大颗粒存在，影响了陶瓷的抗弯强度。所以，从陶瓷材料的显微结构上分析，保温时间为2h时，陶瓷材料的颗粒排列致密并且颗粒均匀；保温时间过短，会有气孔排除不完全的现象；保温时间过长，会出现晶粒异常生长的现象。

3.2.2 抗弯强度分析

不同保温时间下CZP陶瓷性能的结果如表2所示。CZP陶瓷的保温时间在1、2和3h时的三点抗弯强度值分别为62.35、74.96和64.76MPa。可见，保温时间适中时（保温时间为2h），陶瓷的气孔最小，陶瓷的力学性能最好。而保温时间太短时（保温时间为1h），陶瓷体不够致密，气孔率相对较高，影响陶瓷的抗弯强度值；保温时间太长时（保温时间为3h），陶瓷烧结时间过长，造成晶粒的异常长大，也导致抗弯强度值下降。

3.2.3 介电性能分析

由表2可以看出，保温时间分别为1、2和3h时，气孔率值分别为4.7%、3.4%、3.6%，对应的介电常数为3.36、3.65和3.45，可见保温时间为2h时，气孔率最小，对应的介电常数也最大。

同样，本研究的CZP陶瓷介质损耗值和气孔的关系正好与介电常数相反，气孔率越高，陶瓷体的介质损耗值越大，由表2可以看出，保温时间为1h时，陶瓷的气孔率为4.7%，气孔率最大，对应的介质损耗值也最大，为0.0132。

4结 论

（1） 烧结升温速度在5℃/min时，CZP陶瓷材料的综合性能最好，升温速度在3℃/min时，晶粒因烧结时间变长而长大，力学性能下降；升温速度在8℃/min时，坯体因过快升温易开裂，力学性能也下降。三种升温速度对陶瓷的介电性能影响不大，介电常数值均在4以下。

（2） 烧结保温时间为2h时，CZP陶瓷材料的综合性能最好，保温时间为1 h时，坯体未完全烧结而使致密度下降，力学性能随之下降；保温时间为3h时，晶粒因烧结时间过长而长大，力学性能也下降。三种保温时间对陶瓷的介电性能影响不大，介电常数值均在4以下。

参考文献

1S.Y.Limaye,D.K.Agrawal,R.Roy,et al,Synthesis, sintering and thermal expansion of Ca1-SrxZr4P6O24-an ultra-low thermal expansion system[J].J.Mater. Sci,1991,26:93～98

2Chien-Jen chen,Li-Jiaun Lin.Synthesis and characterization of Sr1-xK2xZr4P6O24 ceramics[J].

J.Mater.Sci,1994,29:3733～3737

3R.Brochu,M.El-Yacoubi,A.Serghini,et al.Crystal chemistry and thermal expansion of Cd0.5Zr2(PO4)3 and Cd0.5Sr0.5Zr2(PO4)3 ceramics[J].Materials Research Bulletin,1997,32(1):15～23

4Y.Miyajima,T.Miyoshi,J.Tamski,et al.Solubility range and ionic conductivity of large trivalent

ion doped Na1-xMxZr2-x(PO4)3(M:In,Yb,Er,Y,Tb,Gd)[J].Solid State Ionics,1999,124:201～211

5L.Bois,M.J.Guittet,F.Carrot,et al.Preliminaryresults on the leaching process of phosphate ceramics potential hosts for actinide immobilization[J].Journal of Nuclear Materials,2001,297:129～137

6Susumu NAKAYMA, Katsuhiko ITOH.Immobilization technique of cesium to HZr2(PO4)3 using an autoclave[J].Journal of Nuclear Science and Technology,2003,40(8):631～633

7S.Y.Limaye,D.K.Agrawal and H.A.Mckinstry.Synthesis, Sintering and thermal expansion of MZr4P6O24

第8篇：压电陶瓷范文

国家标准《建筑卫生陶瓷产品单位能源消耗限额》促行业提升

……………………………………………《佛山陶瓷》编辑部（4.1）

从第九届陶博会看陶瓷产品及技术的发展……………黄 宾（5.1）

节能环保成为陶瓷产业主题和发展方向

――第21届中国国际陶瓷工业展陶机产品扫描……黄 宾（6.1）

中国陶瓷工业协会第五届理事会荣誉榜……………………（12.1）

综述与评述

佛山陶瓷企业实施清洁生产势在必行………………黄 宾（11.1）

2007佛山陶瓷主旋律：技术创新与规模转移…………黄宾（12.2）

研究与探讨

过渡金属氧化物系红外辐射材料的制备和研究……雷中伟等（1.1）

溶胶-凝胶还原氮化合成β-sialon 微粉的研究………张 烨等（1.5）

变色结晶釉的研制…………………………………刘亚民等(2.1)

糊精对陶瓷釉和色料的影响…………………………刘得利(2.4)

隧道窑冷却带喷嘴的安装布置对窑内气体流动影响的研究

………………………………………………………艾明香等(2.7)

Li2O-CuO-P2O5玻璃的电性能………………………李同伟等(3.1)

SiC陶瓷水煤浆喷嘴与其它材料水煤浆喷嘴的比较研究

………………………………………………………邹永生等(3.4)

水热法制备钕掺杂BaTiO3粉体及其介电性能研究

………………………………………………………何 英等(3.7)

二次烧无硅灰石坯料配方试制………………………陈迪晴（4.3）

基于AutoCAD VBA液压集成块的装配设计……… 张传才等（4.7）

基于正交设计的化学共沉淀法制备β-磷酸三钙 ………李素芹等（5.4）

Y3+掺杂对Al2O3陶瓷的影响………………………邓毅超等（5.8）

溶胶-凝胶制备纳米TiO2的X射线衍射分析………陈利花等（5.12）

中温高铝强化瓷的研制……………………………沈茂荣等（6.5）

压电陶瓷PZN-PZT对压电复合材料性能的影响

…………………………………………………………戴 雷等（6.7）

纳米氮化硅粉体的制备……………………………洪 军等（6.11）

泡沫载体的表面处理对泡沫陶瓷性能的影响…………赵能伟等（7.1）

复合晶核剂TiO2/ZrO2对微晶玻璃晶化行为的影响

………………………………………………………………王 峰等（7.6）

3Y-ZrO2/Al2O3复合粉体制备工艺研究…………许红亮等（8.1）

晶化时间对MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃显微结构及性能的影响

………………………………………………………马 丽等（8.4）

不同烧结法对3Y-TZP陶瓷力学性能的影响………李树先等（9.1）

CFD模拟技术在陶瓷内衬多通道煤粉燃烧器中的应用

………………………………………………………潘丽萍等（9.5）

降低腰线砖硅橡胶模具线收缩率的研究……………王艳香等（10.1）

新型陶瓷改性环氧树脂涂料的制备及性能表征

…………………………………………………………叶秀芳等（10.4）

Ti3SiC2/4SiC复相陶瓷的高温力学性能研究………郭双全等（10.8）

高能球磨制备纳米WC/MgO粉末的工艺研究

……………………………………………………张梅琳等（10.12）

干压结合冷等静压成形对陶瓷力学性能的影响

…………………………………………………………陆有军等（11.5）

佛山陶瓷企业人力资源现状及其发展对策………梁洁鸣等（11.8）

铁系金属釉的制备与研究………………………蒋鸿辉等（12.9）

掺杂V2O5对MgNb2O6介电陶瓷工艺和性能的影响

……………………………………………………赵永乐等（12.12）

环保与节能

微晶玻璃废板的利用…………………………………吴小福（1.8）

辊道窑热平衡测试数据分析及节能方向探讨…………谢炳豪（2.11）

佛山陶瓷企业开展清洁生产的现状及其方向………徐建国（3.11）

浅谈抛光砖厂污水的净化回用……………………郭成林等（4.10）

低辐射镀膜玻璃研究进展…………………………陈炳炎等（4.12）

谈隧道窑的节能途径…………………………………吴柏跃（5.14）

低温快烧瓷质砖的成瓷机理探讨…………………吴银相（6.13）

利用破损陶瓷和陶瓷废料制造陶瓷透水砖…………周松青等（8.7）

利用赤泥制备琉璃瓦的研究……………………贺深阳等（8.11）

利用含钛高炉炉渣制备陶瓷釉料…………………王京甫等（8.13）

硅酸锆中放射性元素分析…………………………郝小勇等（9.8）

提高辊道窑助燃风温度的探讨…………………谢炳豪等（11.11）

浅议二氧化硫排污权交易在广东陶瓷行业的实施

……………………………………………………秦 威等（11.15）

陶瓷砖抛光废渣回收利用及产品的性能研究………郑树龙等（12.16）

生产与应用

数字技术和快速制造技术在陶瓷洁具新产品开发中的应用

………………………………………………………梁满杰等（1.10）

吉林省桦甸市及周边地区陶瓷原料的考察情况……蔡飞虎等（1.12）

复杂陶瓷卫生洁具新产品开发的数字化方法

――无模砂型快速制造…………………………金 枫等(2.15)

浅析影响日用陶瓷产品质量的因素…………………翟新岗(2.18)

复杂卫生陶瓷洁具的三维实体建模……………郗志刚等(3.16)

锆基色料在不同粒度分布熔块釉中的对比试验……翟新岗(3.20)

石英砂中二氧化硅含量测定方法的改进…………… 杜 娟(3.22)

一次烧成大规格超薄瓷质砖的生产工艺及其市场应用

………………………………………………………江 宏等（4.16）

80m全自动天然气隧道窑监控系统的设计…………梁善良（4.20）

瓷质抛光砖“超洁亮”技术…………………………周 鹏等（5.16）

日用瓷、卫生洁具、建筑陶瓷产品生产中的除铁工艺……李 泽（5.19）

论釉面色彩和乳浊程度的调整……………………蔡克勤（5.21）

负离子陶瓷添加剂在陶瓷产品中的应用…………蔡怀福（5.24）

陶瓷生产中煤气使用的主要特点和设备改进………陈洁清等（6.17）

透水砖的研究现状及发展前景…………………戴武斌等（6.19）

瓷质微粉抛光砖反压成形工艺的研究……………周 纯等（6.23）

赤泥除铁初探……………………………………徐晓虹等（6.24）

蜂窝陶瓷的制备与应用………………………… 侯来广等（7.9）

浅谈白云陶釉下彩装饰……………………………翟新岗（7.13）

碳化硅微孔陶瓷过滤板的制备…………………张奖池等（7.16）

高固含量SiC 浆料流变性能的研究………………陈宇红（7.19）

我国建筑卫生陶瓷工业现状及企业技术中心研发思路

……………………………………………………简润桐等（7.21）

新型陶瓷减水剂的合成及应用研究……………林冬梅等（8.16）

低成本全熔块低温釉的研制 ……………………邹继艺等（8.20）

陶瓷钴蓝色料的试制及配方的改进 ………………秦 威（9.11）

日产2000m2干挂陶瓷大板的生产工艺……………谭利军（9.15）

合成骨灰对高档卫生瓷色釉颜色的影响…………翟新岗（9.18）

“铜绿”产生的原因分析及解决措施 ………………陈迪晴（9.21）

浅谈聚晶釉面抛光砖的开发………………………韩复兴（9.22）

国内外乳浊釉的研究现状及我国釉料发展方向

……………………………………………………徐晓虹等（10.17）

浅谈陶瓷产品的三维建模………………………张三聪等（10.21）

陶瓷厂轮碾机的磨损研究…………………………孙秋艳等（11.18）

釉料组成对Cr-Sn紫色料发色的影响试验………翟新岗（11.21）

坐便器冲水功能的发展现状及影响因素…………袁芳丽等（12.18）

日用陶瓷的个性化设计……………………………王 宁（12.21）

陶瓷产品三维展示技术在网站建设中的运用

……………………………………………………余建荣等（12.24）

机械与设备

中铝球在大吨位球磨机中的应用……………………杨九大（1.14）

工程陶瓷的电火花加工技术………………………周云鹏等（1.18）

抛光机6圆磨块粗抛抛光头的改进…………………杨梓球(2.20)

天然气全自动隧道窑的烘烤与调试…………………梁善良(2.23)

筒体转式筛在原料车间的推广使用……………………蒙 牛(3.24)

陶瓷机械改进实例…………………………………杨梓球（4.28）

自动压砖机的节能改造 ……………………………杨燕廉（5.26）

智能弯管流量计解陶瓷业煤制气的计量难题………谢炳豪（6.27）

真空挤压成形机使用时应注意的问题………………蔡祖光（7.25）

大件高温陶瓷装窑方法及注意事项 ……………浦雪琴等（8.22）

浅谈陶瓷洁具虹吸式坐便器………………………王同言（8.25）

变频器在建陶行业中的应用…………………………陈 钢（9.24）

现代日用瓷隧道窑的建造与安装…………………梁善良（10.24）

煤制气燃料用于高温熔块生产的可行性研究…李家铎等（10.28）

科达2007宽体压机系列介绍……………………许建清等（11.24）

空压机传动变频解决方案…………………………杨燕廉（11.27）

陶瓷砖压机中充液阀的结构分析与计算………李良光等（12.27）

经营与管理

浅析钦州坭兴陶产业的竞争态势……………………蒋俊贤（1.21）

浅析景德镇市陶瓷专营市场的运营 ………………许剑雄（1.24）

浅析陶瓷行业的技术贸易壁垒及其对策…………曾 薇等(2.25)

国内陶瓷企业品牌运营的误区及其对策研究…………李海东等(3.26)

浅析景德镇市陶瓷园区运作的若干问题……………许剑雄（4.30）

佛山陶瓷出口TBT预警研究综述………………刘世明等（7.29）

谈陶瓷企业如何推进5S管理………………………秦 威（7.32）

中小陶瓷企业竞争战略的匹配分析………………李海东（10.31）

陶艺纵横

论黑陶的艺术魅力……………………………………李伟等（1.27）

论环境陶艺的景观性体现……………………………彭赞宾（1.30）

陶瓷设计：我国陶瓷发展的瓶颈……………………庾莉萍(2.28)

现代陶瓷首饰的魅力………………………………李 伟等(3.30)

师法自然，源于生活――谈石湾陶艺………………刘 东（4.33）

浅论现代陶艺中的艺术符号………………………黄维维（4.35）

龙泉青瓷的艺术魅力…………………………………李 伟（5.27）

浅谈紫砂陶器的艺术特征…………………………马志远 （6.29）

陶瓷雕塑艺术的几点思考……………………………陈 响（7.35）

日用陶瓷的趣味性设计……………………………张文娟（8.28）

浅谈浮雕壁画………………………………………邱欣灿（8.31）

承传，发展，创新――浅谈石湾陶塑动物的创作…… 霍然均（9.27）

原始彩陶纹饰的文化蕴涵初探……………………朱大维（9.29）

俗与雅的“殊途同归”――浅论民间青花与文人画的异同

………………………………………………………刘江辉（10.36）

中国古代陶瓷器上鱼纹装饰的特征…………………王 （10.39）

传承与发展――透过徽州砖雕的文化特质管窥现代陶艺的创作……余莺姿（11.29）

谈现代陶瓷灯具的审美情趣…………………………余 莉（11.32）

浅谈红绿彩装饰的艺术表现………………………孙立丰（12.31）

日本、美国现代陶艺之比较…………………………张 艳（12.34）

新产品新技术

科达机电推出KD280A“六爪鱼”粗磨头 等……………黄 工（7.37）

知识讲座

铋基黄色颜料的研究现状…………………………李静平等(1.32)

稀土元素在陶瓷材料中的应用………………………朱 虹等(1.35)

硅灰石粉体的制备及其应用………………………李金换等(2.30)

浅谈BaO-Ln2O3-TiO2体系微波介质陶瓷的热稳定性

………………………………………………………龚文强等(2.32)

二氧化硅体系透波材料的透波机理及研究现状…… 郝洪顺等(3.33)

浅谈仿真技术………………………………………匡伟春等(3.38)

碳化硼材料的制备技术……………………………裴立宅（4.37）

石英陶瓷的研究应用现状及发展前景………………付 鹏（5.30）

大功率铅基压电陶瓷材料的研究进展…………… 晏伯武（5.34）

矿渣微晶玻璃的应用及发展………………………吴建锋等（6.32）

钛酸锶钡陶瓷材料的掺杂改性…………………钱晶晶等（6.36）

陶瓷制品的放射性及应对策略……………………俞康泰（8.33）

氮化硅晶须结构的性能研究及其应用现状…………李 甫（9.32）

纳米陶瓷粉体的表面改性与应用………………汪海燕等（10.42）

建筑陶瓷的发展趋势……………………………朱锦辉等（11.34）

钛酸钡陶瓷铁电临界尺寸的研究进展…………肖长江等（11.37）

佛山陶瓷行业品牌战略的法律思考………………胡充寒（12.35）

专家门诊

关于水晶釉砖釉面蚁裂现象的答疑等……………孔海发等（1.40）

关于外墙砖底釉横向裂纹问题的答疑等…………孔海发等(2.36)

关于渗花砖与微粉砖成形压力问题的答疑等……孔海发等(3.41)

关于微粉抛光砖干燥前强度问题的答疑等………孔海发（4.42）

抛光砖出现针孔问题的启示等…………………蔡飞虎等（5.40）

干燥开裂问题一例等……………………………蔡飞虎等（6.41）

聚晶微粉砖的底裂问题等 …………………… 蔡飞虎等（7.39）

关于江西和广东地区陶瓷资源的比较等…………孔海发等（8.37）

关于耐磨砖针孔缺陷的答疑等…………………蔡飞虎等（9.35）

关于印刷釉发色鲜艳度的答疑等………………孔海发等（10.46）

关于如何检测印刷网板的进厂质量等…………孔海发等（11.40）

建厂时规划设计如何做到科学规范的答疑等

……………………………………………………孔海发等（12.40）

创新园地

建设创新型国家的指导方针等………………………白 云（1.42）

怎样保持创新活力等…………………………………白 云(2.38)

有兴趣才有创新的可能等……………………………白 云(3.43)

老字号不是核心竞争力等……………………………白 云（4.44）

信息集锦

纳米镜面喷涂技术解环保难题等………………………白 云（1.43）

安全玻璃渐成消费主流智能玻璃前景广阔等……白 云(2.39)

2006年国家免检产品及企业名单公布等……………白 云(3.44)

专利信息

污泥烧结砖生产方法等………………………………………（1.44）

一种在炻瓷制品上产生岩石纹路图案的方法等……………(2.40)

微孔陶瓷过滤基板等…………………………………………(3.45)

耐高温复合保温喷涂料等……………………………………（4.45）

环保瓷砖等……………………………………………………（5.43）

生产超薄陶瓷砖的工艺方法等……………………………（6.43）

一种抗菌地板等……………………………………………（7.42）

免烧压砖机等………………………………………………（8.39）

一种压砖机的模具等…………………………………………（9.39）

一种新型釉料搅拌装置等…………………………………（10.49）

一种用于瓷砖表面有窑变釉面效果的釉料等……………（11.43）

陶瓷阀芯及使用该陶瓷阀芯的水龙头……………………（12.43）

展会资讯

第9篇：压电陶瓷范文

关键词：防静电陶瓷；AZO导电粉；包裹工艺；表面电阻；体积电阻

1 前言

防静电陶瓷砖是一种新型的防静电产品。以往的防静电产品，如：环氧和三聚氰胺、PVC防静电涂料、地板、防静电橡胶板等高分子材料，其具有易老化、不耐磨、易污染、耐久性和防火欠佳等缺点。而防静电陶瓷砖正好克服了上述的缺点。同时，又兼具了陶瓷墙地砖耐磨、抗污能力强、装饰效果较好的优点，是防静电PVC、水磨石、花岗岩等材料的优良替代品。现有的防静电陶瓷主要是通过掺和法制备的，即通过在基体中掺入一定量的导电填料，再通过煅烧而形成复合导电材料[1-2]。

目前，对防静电陶瓷砖的研究主要集中在釉面导电瓷砖和通体导电瓷砖两方面。Nakarnura[3]等提出了ATO（Sb掺杂SnO2，下同）在玻璃体中的导电模型，将ATO加入到陶瓷的釉中，釉层烧成后形成富含半导体成分的熔体层，熔体层相互接触，形成了良好的导电网络，从而使釉面电阻下降，达到防静电的要求。华南理工大学的颜东亮[4-6]分别将ATO包覆氧化硅和ATO包覆硅酸锆导电粉加入到陶瓷透明釉中，制备出了浅色防静电陶瓷砖。华南理工大学的汪永清[7]以ATO半导体为导电填料，选取透明釉、钡无光釉、锆乳浊釉为基釉进行了防静电陶瓷的研制，探讨了釉中晶相对防静电陶瓷电性能的影响。此类釉面防静电砖虽然都达到了一定防静电要求，但由于只是釉面层导电，在工程实际铺贴时存在施工难度大，工程整体防静电性能不稳定等问题。佛山市中国科学院上海硅酸盐研究所陶瓷研发中心蔡晓峰[8]和广东东鹏陶瓷股份有限公司的范玉容[9]将所制得的导电AZO粉料按一定比例与陶瓷抛光砖坯料相混合，煅烧后得到通体导电陶瓷砖。此方法的缺点是坯体成形困难，压制出来的坯体强度低，且生产成本较高。因此，如何改进传统制备技术，寻找一种简便、廉价工艺将导电填料均匀引入坯体中，是实现防静电陶瓷砖批量化生产的关键。

本文将AZO导电粉制备成浆料；然后将其雾化后包裹在净白料的表面上，进而将包覆有导电粉的净白料压制成形；最后煅烧得到通体导电陶瓷砖。采用该工艺制备出了导电性能优良、生产成本较低的防静电陶瓷砖。目前，通过包裹技术来制备防静电陶瓷砖的研究还未见报道。

2 实验内容

2.1 样品制备

以仿古砖净白料（佛山某公司生产）为核，壳物质的AZO导电粉以浆料的形式雾化沉积在核颗粒表面而获得包裹有AZO导电粉的仿古砖净白料。此净白料经压制成形、干燥后置于电炉中烧成，得到防静电陶瓷砖。包裹过程示意图如图1所示，其具体制备过程如下：

（1） 取仿古砖净白料，过80目筛，取20～80目粒径的粉料，并控制粉料的含水率为3%；

（2） 在AZO导电粉中加入0.3%坯用甲基、0.3%减水剂、一定量的水，要求控制浆料的含水率为40 %，慢速球磨30 min后，得到AZO导电粉浆料；

（3） 将步骤（2）中得到的AZO导电粉浆料雾化后均匀包裹于步骤（1）得到的仿古砖净白料上，其中，导电粉加入量占所有干料量7.5wt%（以下无特殊说明，导电粉的添加量均为7.5wt%），包裹完成之后将粉料含水率调整为6%；

（4） 将包裹有导电粉的净白料干压成120mm×80mm×6mm的试样，干燥后，在1170℃条件下煅烧，保温30 min，得到防静电陶瓷砖。

2.2 样品的表征

根据阿基米德原理，采用静力称重法测定样品的吸水率（Wa，%）；采用佛山市华洋设备有限公司制型号为HYK-10000A的数显式抗折仪测试样品的抗折强度，样品的尺寸为120mm×80mm、测试跨距为100mm、加载速度为0.5 mm/min；采用无釉砖耐磨试验仪（LM-Ⅱ型，湘缆集团湘潭仪器仪表厂）对样品耐磨度进行表征；通过数字式绝缘电阻表（PC27型，上海远中电子仪器厂）测定试样表面电阻和体电阻，测试条件为环境温度为25℃、湿度为35%。

3 结果与讨论

3.1 包覆工艺参数对陶瓷砖电性能的影响

3.1.1净白料粒度对陶瓷砖电性能的影响

不同粒度净白料制备的陶瓷砖电性能测试结果如表1所示。

从表1中可以看出，随着净白料粒径变小，陶瓷砖的电阻变大。净白料的粒度为20～30目时，陶瓷砖的电阻最小，其表面电阻为1.6×107Ω、体电阻为5.7×106Ω。因为细颗粒比表面积大，在包裹同样多的导电粉时，大颗粒粉料包裹的导电粉比细颗粒多，导电颗粒之间的距离不断减小，更容易形成比较连续的导电网络，陶瓷砖的电阻变小。

综上所述，净白料应选取粒径为20～60目的粉料。但是考虑到陶瓷砖的成形，粉料的粒径分布必须合理，才能得到较紧密的颗粒堆积，保证成形后坯体具有一定的机械强度。因此，在陶瓷砖中要求20～60目的净白料占80%，60～80目的占20%。

3.1.2 包裹前净白料含水率对陶瓷砖电性能的影响

包裹前净白料含水率对陶瓷砖电性能的影响如图2所示。

从图2中可以看出，陶瓷砖的电阻并未随着净白料含水率的变化而呈规律性变化。当净白料的含水率为4%时，陶瓷砖的电阻最小，其表面电阻为1.9×107Ω、体电阻为1.7×107Ω。净白料的含水率的多少直接影响导电浆料在其表面的包裹厚度，进而影响陶瓷砖的导电性能。粉体间的间隙相当于一束毛细管，由于毛细作用，液体能自发渗透进入粉体间隙中，称为毛细上升效应。毛细作用取决于液体的表面张力和对固体的接触角，表面张力愈小，液固间粘附力愈大，愈容易发生润湿。净白料含水率太大，导电粉浆料与净白料不易发生润湿而不易包裹在其表面，陶瓷砖的电阻较大，达不到防静电的要求。净白料的含水率太低，较易提高导电粉的用量，提高生产成本。因此，包裹前净白料的含水率应控制在2%～4%时最佳。

3.1.3导电粉的加入量对陶瓷砖电性能的影响

不同添加量的导电粉制备的陶瓷砖电性能测试结果如表2所示。

由表2可知，随着导电粉AZO添加量的增加，陶瓷砖的电阻值逐渐降低。当加入量小于5.5wt%时，由于导电粉在陶瓷体内仍以孤岛状存在，形成不了导电网络，陶瓷砖的电阻值大于109Ω，防静电效果极差。当导电粉的加入量大于7.5wt%时，AZO颗粒在陶瓷体内开始出现相互联接，形成导电网络，特别是加入量为7.5wt%时，陶瓷砖的电阻值达到107Ω数量级，可以满足防静电陶瓷砖的电阻值的要求。继续增加导电AZO导电粉的添加量，陶瓷砖的电阻值还可能降低，考虑到制造成本，应尽量减少AZO导电粉的添加量。因此，包裹工艺导电粉的最佳添加量为7.5%。

3.1.4导电粉的细度对陶瓷砖电性能的影响

将AZO导电粉进行过筛，分成不同细度的AZO导电粉，所得陶瓷砖的电性能测试结果如表3所示。

由表3可知，AZO导电粉的细度对陶瓷砖的电阻值有一定的影响。导电粉越细，陶瓷砖的电阻越小。200目筛下的导电粉制备的陶瓷砖的电阻最小，其表面电阻为8.7×107Ω、体电阻为1.4×107Ω。颗粒太粗不利于防静电陶瓷砖的制备，因为在陶瓷体内形成导电网络较少，陶瓷砖的电阻值高；而太细的AZO导电粉加工非常困难，极易提高能耗。在综合考虑现有陶瓷砖制备工艺条件下，AZO导电粉的颗粒度一般控制在80～120目为好。

3.2 导电粉的加入对陶瓷砖吸水率、耐磨度和强度的影响

将80～120目的AZO导电粉浆料（导电粉的添加量7.5wt%）为壳物质，以含水率为2%仿古砖净白料（20～80目）为核，按照步骤将导电粉浆料包裹于净白料的表面，将包裹好的粉料经干压成形，煅烧到1170℃，保温30min制得防静电陶瓷砖。取仿古砖净白料直接干压成形，煅烧到1170℃，保温30min制得仿古砖。防静电陶瓷砖和仿古砖的物理性能如表4所示。

由表4可知，AZO导电粉引入仿古砖净白料中，防静电陶瓷砖的物理性能发生了一些变化。陶瓷砖的吸水率在AZO导电粉加入后变小，这主要是因为AZO导电粉是一种粒径比较小、比重轻的物质，而且又有分散性差等特点，填充的空隙率相对较少。陶瓷砖的抗折强度在AZO导电粉加入后略有降低。这可以解释为氧化锌的加入会降低陶瓷的烧成温度，当AZO导电粉的加入量达到某个程度时，在相同的烧成温度下，会导致陶瓷的微膨胀，陶瓷的吸水率提高，宏观上表现为抗折强度下降。而AZO导电粉的引入并没有影响陶瓷砖的耐磨度。

4 结论

（1） 以AZO导电粉浆料为壳物质，仿古砖净白料为核，采用包裹技术能够制备出性能优良的防静电陶瓷砖。

（2） 陶瓷砖的电性能与AZO导电粉添加量和导电粉细度密切相关。在仿古砖净白料和AZO导电粉为初始原料的组成中，陶瓷砖的电阻随导电粉添加量的增加而减小，随导电粉细度变细而变小。而仿古砖净白料的粒度分布和含水率对制备防静电陶瓷砖也有一定的影响。因此，在陶瓷砖中要求20～60目的净白料占80%，60～80目的占20%；包裹前净白料的含水率应控制在2%～4%最佳；AZO导电粉的颗粒度一般控制在80～120目为好。

（3） AZO导电粉加入（添加量7.5wt%）会影响陶瓷砖的一些物理性能，但影响程度不大。

参考文献

[1] Li Lili，Duan Xuechen. Preparation and Characterization of Nanometer ATO Powder by Heterogeneous Precipitation[J]. Rare Metal Materials and Engineering，2006，35（3）：441-445.

[2] Claudio Fontanesi， Cristina Leonelli， Tiziano Manfredini， et al. Characterisation of the Surface Conductivity of Glassy Materials by Means of Impedance Spectroscopy Measurements[J]. Journal ofthe European Ceramic Society，1998，18：1593-1598.

[3] Nakarnura M， Kamino M， Nagano T， et al. Micostructure and Electrical Proterty of Semiconducting Tin Oxide Glaze[J]. Journal of the Ceramic Society of Japan，1987，95（5）：562-566.

[4] 颜东亮，吴建青，钟 燚. 包覆型导电填料的制备及在防静电陶瓷中的应用[J]. 硅酸盐通报，2008，27（5）：928-932.

[5] 颜东亮，吴建青，陈 林. 导电纤维的制备及在防静电陶瓷中的应用[J]. 稀有金属材料与工程，2010，39（11）：2018-2022.

[6] 颜东亮，吴建青. ATO包裹硅酸锆的制备与应用[J]. 中国陶瓷，2007，43（3）：18-20.

[7] 汪永清，吴建青，周健儿等. 釉中晶相对防静电陶瓷电性能的影响探讨[J]. 中国陶瓷，2005，41（2）：10-13.